4．1耐熱性
4．1．1玻璃轉移溫度，Tg
如果以熱劣化性為耐熱性的考慮要點，則可以Tg來當做參考值。塑粉的Tg值主要決定于塑粉的交聯密度：
Tgl=Tg0+k／nc
Tgi：交聯后的Tg
Tg0：未交聯前的Tg
K：實驗常數 nc：兩交聯點前的平均原子數。
交聯密度愈高，其Tg值也愈高；耐熱性愈佳，熱變形溫度也愈高。一般封裝塑粉的Tg值約在160℃左右，過高的Ts會使成品過硬呈脆性，降低對熱沖擊的抵抗性。
4．1．2
Tg的測定
測定Tg的方法很多,目前本所使用熱膨脹計(DIALTOMETER)DSC(DIFFERENTIAL
CANNING CALORIMETRY)、流變儀(RHEOMETRIC)、TBA(TORSIONAL
BRAID ANALYZER)等儀器來測定Tg值。
4．2耐腐蝕性
由從事塑膠封裝電路的故障分析者所提出的故障成因中，以鋁條腐蝕(CORROSION
OF ALUMINUN METALLIZATION)所占比例最高，因此耐腐蝕性實為封裝塑粉的首要考慮因素。
4．2．1腐蝕的成因
就環氧樹脂塑粉而言，造成鋁條腐蝕的主因為塑粉中所含的氯離子及可水解性氯(HYDROLYZABLE
CHLORIDE)。當大氣中的濕氣經由樹脂本身及其與引線腳(LEAD)間的界面，擴散進入半導體的內部，這些侵入的水氣會與樹脂中的離子性不純物結合，特別是C1-，而增加不純物的游動性(MOBILITY)。當這些不純物到達晶片表面時，即與鋁條形成腐蝕反應，破壞極薄的鋁層，造成半導體的故障。
4．2．2腐蝕的防止
(1)降低不純物含量
對半導體封裝業者而言，選擇低氯離子含量的封裝膠粉是必要的。目前一般塑粉中離子性不純物的含量均在10ppm以下。環氧脂由于在合成過程中使用EPICHLOROHYDRIN，因此無法避免有氯離子的存在，因此樹脂要經純化去除大部分氯離子后，再用來生產封裝塑粉。表3為日本廠家的環氧樹脂封裝膠粉的離子含量及電導度。
(2)添加腐蝕抑制劑(CORROSION
INHIBITOR)
在膠粉添加腐蝕抑制劑能減低鋁條的腐蝕速率，干擾陽極或陰極的腐蝕反應，因而降低腐蝕全反應(OVERALL
REACTION)的速率。所選用的抑制劑要具有如下的性質：
①抑制劑中不能含有對電路工作有害的離子；
②加入抑制劑后所增加的離子電導度不能產生有害于電路的副反應；
③抑制劑需能形成錯合物(COMPLEX)；
④對有機系抑制劑而言，不能與環氧樹脂發生反應，在移送面形成硬化過程中具有安定性；
⑤對無機系抑制劑而言，其所產生的離子不可滲入Si或SiO：絕緣層中，以免影響電路的工作。
一般以無機系腐蝕抑制劑的效果最佳。其中以鎢酸銨(AMMONIUM
TUNGSTATE)、檸檬酸鈣(CALCIUM
CITRATE)為常用。
4．3低的熱膨脹系數(CTE，COEFFICTENT
OF THERMAL EXPANSION)
在前面我們已經提過由于樹脂與埋人件CTE的不同而產生內應力，造成成品破裂的原因。在此我們將詳細介紹CTE對膠粉影響。
4．3．1
GTE與內應力的關系
內應力可用DANNENBERG’S方程式表示：
σ：內應力(internal
stress) O：熱膨脹系數(CTE)
E：彈性模數(elastic
modulus) S：截面積(cross
section area) R：樹脂(resin)：埋人件，框架，晶片口nsert
component，leadframe,chip)
由方程式(4)中，我們可清楚的看出樹脂與埋人件之間的CTE差愈大，所產生的內應力也就愈大。由內應力所引起的龜裂(CRACK)將成為外部濕氣及污染侵入的通路，進一步造成元件的故障，因此環氧樹脂膠粉必須具有低的CTE值。目前也有人從降低彈性模數來使內應力變小。
4．3．2影響CTE的因素
CTE值可由Tg或交聯密度來加以控制。此外，以下各因素也會影響CTE：
1)濕氣污染；
2)可塑劑或潤滑劑的流失；
3)應力的消失；
4)未反應的化學品；
5)后硬化的時間與溫度。
對環氧樹脂塑粉而言，要擁有低CTE值必須從填充料上面來著手。一個塑粉配方工程師必須將Tg及CTE常記在心，作為參考及尋找問題的工具，因為低的CTE及高的Tg對熱沖擊抵抗性而言是十分重要的。
4．4成形性
廣義的成形性包括半導體封裝后的尺寸安定性、離型性(脫模)、加工成形時的流動性等等。
4．4．1流動性與漩流試驗(SPIRAL
FlOW TEST)
由于膠粉本身是部分交聯的B-STAGE樹脂，若貯存不當或貯存過久會增加膠粉交聯硬化的程度，而造成流動性的降低，此時即該丟棄此流動性變差的膠粉。一般以漩流實驗所得漩流值的大小來判斷流動性的好壞，目前封裝采用的規格是25-35寸。漩流值過低表示膠粉的流動性差，成形時將無法灌滿模子；漩流值過高表示膠粉的流動性太大，容易將埋人件的金屬細線沖斷并會產生溢膠現象。
4．4．2
DSC與塑粉流動性
除了漩流試驗之外，我們也可利用微差掃瞄式卡計(DSC)來測知膠粉是否仍然具有好的流動性。
第一個放熱峰為膠粉硬化時所放出的聚合反應熱，此放熱峰愈高表示膠粉的反應熱愈多，也代表膠粉貯存時硬化的程度少，因此具有良好的流動性。放熱峰愈低表示膠粉已大部分硬化，只能放出少量反應熱，代表膠粉已失去流動性。利用以上原理，我們可以找出放熱峰高度與漩流值之間的對應關系。
如果所貯存的膠粉經DSC分析后發現放熱峰高度減少10％以上，表示膠粉已失去良好流動性，宜丟棄不再使用。
4．5電氣特性
電氣性對環氧樹脂膠粉而言是一種相當重要的性質，而介電特性(DIELECTRIC
PROPERTY)為考慮重點。對封裝材料而言，介電常數(DIELECTRIC
CONSTANT)愈小其電絕緣性愈佳。介電常數會受頻率的改變、溫度、濕度的影響。介電常數的變化遠比介電常數的起始值來得重要。此外，成品的密閉封裝是很重要的，將直接影響到電學性質。若成品封裝不全有空隙存在，除了提供濕氣污染的通路外，在接受電壓時會發生電暈(CORONA)，使電場集中在空隙前端，引起內部放電而造成絕緣破壞。
4．6耐濕性
濕氣侵入半導體元件中與離子性不純物作用，降低絕緣性，使漏電流增加并腐蝕鋁路，此為信賴度降低的主因。濕氣侵入封裝成品中的路徑有兩條：
●由樹脂整體(BULK
OF PLASTIC)的表面擴散進入；
●經由樹脂與IC腳架間的界面，以毛細現象侵入。
取一個14腳的DIP(DUAl+IN
LINE PACKAGE)，在上方打開一個孔洞，孔底可達晶片表面，再將一個設有氣體出入口的容器接在DIP的孔洞之上并密封之，然后將此裝置浸在100％RH的水蒸氣或水中，容器內通人干燥的氮氣(0％RH)，水氣即會依上述兩種途徑侵入而進入容器中，我們利用偵測器測出流出氮氣中所含有的水氣，而得到全部(兩種水氣滲透速率之和)的水氣滲透率Pt。Pt是經由樹脂整體侵入的水氣滲透速率Pb及經由界面毛細侵入的水氣滲透速率P1之和，及Pt=Pb+P1。我們可取相同材料的樹脂封住容器的底部，以同樣方法測出Pb，再將Pt與Pb相減即可求出Pl之值。
利用上述方法對塑粉進行評估。根據HARRISON的說法，元件若要具有10年的動作壽命保證，則Pl值應該在70以下。我們不妨利用此方法來對環氧樹脂膠粉進行耐濕性評估。
4．7硬化時的放熱
塑粉在硬化時會放出聚合反應熱，如果配方調配不當發熱量太大時會造成龜裂并給予元件應力。因此化學工程師在進行塑粉配方研究時應考慮硬化放熱量不可過大。
事實上塑粉的交聯可分成兩個階段。先膠化，再硬化。低分子量的樹脂膠化的速度比高分子量者快。促進劑的濃度小，則膠化時間由熱或動力決定；如果促進劑的濃度大，則膠化時間由分子擴散至正確的反應位置決定：
●欲快速膠化則增加熱量，所得材料具有低交聯密度、高CTE、熱收縮性大。
●欲慢速膠化，則減少熱量，所得材料具有較高交聯密度、低CTE及較小的熱收縮。
4．8抗燃性
在UL規格中是以94
V-O為標準的環氧樹脂塑粉均能滿足此一規格。
4．9接著性與脫模性
前面已經提過脫模劑的用量增加，樹脂的接著力會降低。若是脫模劑的添加量減少，雖然可使樹脂與腳架引線的接著力提高，但是模具和成形品間的接著力也增加，造成脫模的困難。因此脫模劑的添加量要選擇接著性與脫模性兼顧者為宜。
4．10低α粒子效應
(LOWα-PARTICLE EFFEC)
環氧樹脂膠粉中采用二氧化硅為填充料，而二氧化硅是自然界的礦物，含有微量的鈾、釷等放射性元素。這些放射性元素在蛻變過程中會放出α粒子。DYNAMIC
RAM’S及CCD’S等牛導體元件會受α粒子的影響而發生軟性錯誤(SOFF
ERROR)。STATIC
RAM’S、ROM’S、PROM’S及EPROM’S等元件則不受。粒子的影響。
當α粒子經過活性元件區域(ACTIVE
DEVICE REGIONS)時，會在電子與空穴重新結合之
前，使N-區域收集電子P-區域收集空穴。如果在一特定的區域收集到足夠的電荷，將會擾亂所貯存的資料或邏輯狀態(LOGIC
STATES)。如果所收集和產生的電子數超過臨界電荷的話，即造成所謂的軟性錯誤。
除了填充料之外，基板(SUBSTRATE)、鋁條(METALLIZATION)也會放出α粒子，但是以填充料為α。粒子的主要產生來源。為了避免α粒子效應除了可用聚亞酸胺(POLYIMIDE)作為保護涂膜之外，可采用低放射性元素含量的二氧化硅當做填充料。日本已有生產放射性元素含量在1ppb以下的二氧化硅，這些二氧化硅是經過純化精煉的，價格也較高。對高可靠度牛導體元件而言，必須設法避免α粒子效應。
4．11長期保存性
目前大多數膠粉的膠化時間約在30秒左右，硬化成形后通常需要后硬化，并且又需冷藏貯存。若要發展出能快速硬化，又能在室溫(MAX40-45℃)保存六個月以上而不失膠粉的流動性，則一定要在潛在性促進劑上加以研究與改良。
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