一、LED芯片構(gòu)造
LED芯片是半導(dǎo)體發(fā)光器件LED的核心部件，它主要有砷（AS）、鋁（AL）、鎵（Ga）、銦（IN）、磷（P）、氮（N）、鍶（Sr）這幾種元素中的若干種組成。法國二極管芯片制作方法和材料的磊晶種類：
◆LPE: Liquid Phase Epitaxy（液相磊晶法）GaP/GaP；
◆VPE: Vapor Phase Epitaxy（氣相磊晶法）GaAsP/GaAs；
◆MOVPE: Metal Organic Vapor Phase
Epitaxy（有機(jī)金屬氣相磊晶法）AlGaInP/GaN；
◆SH: Single Heterostructure（單異型結(jié)構(gòu)）GaAlAs/GaAs；
◆DH: Double Heterostructure（雙異型結(jié)構(gòu)）GaAlAs/GaAs；
不同LED芯片，其結(jié)構(gòu)大同小異，有基板（藍(lán)寶石基板、碳化硅基板等）和摻雜的外延半導(dǎo)體材料及透明金屬電極等構(gòu)成。
1、 LED單電極芯片；
2、 LED雙電機(jī)芯片；
3、
LED的晶粒種類簡介：不同材料晶粒，具有不同帶隙，即具有不同發(fā)光波長；
4、 LED襯底材料的種類：藍(lán)寶石（Al2O3）、硅（Si）、碳化硅（SiC）；
1）藍(lán)寶石襯底有許多優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn)：
a.生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好；
b.穩(wěn)定性很好，能運(yùn)用在高溫生長過程中；
c.機(jī)械強(qiáng)度高，易于處理和清洗；
d.晶格失配和熱應(yīng)力失配，會在外延層中產(chǎn)生大量缺陷，同時(shí)給后續(xù)的器件加工工藝造成困難；
e.常溫電阻率較大，無法制作垂直結(jié)構(gòu)的器件，通常只在外延層上表面制作電極；
f.硬度非常高，減薄和切割較困難；導(dǎo)熱性能不是很好。
2）硅襯底
目前有部分LED芯片采用硅襯底。硅襯底的芯片電極可采用兩種接觸方式，分別是L接觸(Laterial-contact，水平接觸)和V接觸(Vertical-contact，垂直接觸)。
3）碳化硅襯底
碳化硅襯底的LED芯片電極是L型電極，電流是縱向流動的，采用這種襯底制作的器件的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件，但是相對于藍(lán)寶石襯底而言，碳化硅制造成本較高，實(shí)現(xiàn)商業(yè)化還需要降低相應(yīng)的成本。
4）三種襯底的性能比較:
|
襯底材料 |
導(dǎo)熱系數(shù) |
膨脹系數(shù) |
穩(wěn)定性 |
導(dǎo)熱性 |
成本 |
抗靜電能力 |
|
藍(lán)寶石 |
46 |
1.9 |
一般 |
差 |
中 |
一般 |
|
硅 |
150 |
5～20 |
良 |
好 |
低 |
好 |
|
碳化硅 |
490 |
-1.4 |
良 |
好 |
高 |
好 |
5、 LED芯片的制作流程：
1）光刻—等離子體蝕刻GaN—擴(kuò)散和鍵合—鍍金—晶圓芯片—拋光—檢驗(yàn)—劃片—崩裂—晶粒；
2）磊晶加熱—干式蝕刻分離—透明層—p電極連接—n電極連接—測量—襯底研磨—劃片—封裝；
6、制作LED壘芯片方法的比較；
7、常用芯片見圖：
1）單電極芯片：
a.圓電極芯片
b.方電極芯片；
c.帶角電極芯片；
2）雙電極芯片
二、Lamp—LED支架介紹
支架的作用：用來導(dǎo)電和支撐晶片；
支架的組成：一般來說是由支架素材經(jīng)過電鍍而形成，由里到外是素材、銅、鎳、銅、銀這五層；
1、Lamp—LED支架結(jié)構(gòu)與相關(guān)尺寸
1)、LED支架圖；
2）、LED支架說明；
3）、尺寸說明；
4）、LED支架材質(zhì)；
5）、支架電鍍知識；
6）、支架管控相關(guān)條件；
2、常用支架外觀圖集
3、LED支架進(jìn)料檢驗(yàn)內(nèi)容：
數(shù)量短少、混料、生銹變色、鍍層起泡脫落、彎曲變形、支架扇形彎曲、支架傾斜、支架壓傷、支架刮傷、碗口變形、凹凸不平、陰陽極變形、沖壓不良、電鍍不均、支架污染、支架燒焦、碗底粗糙、腳彎曲、支架粗糙、銀殘留、支架彎頭、支架毛邊、支架異物（腳及下Bar發(fā)白）、支架電鍍過薄、烘烤檢驗(yàn)、焊線耐熱試驗(yàn)。